公开(公告)号：CN106574181B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201580042214.8

申请日：2015-08-06

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 松本创

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供内部量子效率高的SCASN荧光体、包含该荧光体的发光装置、以及包含该发光装置的图像显示装置及照明装置。本发明涉及由下述式[1]表示的荧光体，该荧光体为单微晶进行三维结合而成的荧光体颗粒，该荧光体颗粒含有晶界三叉点，晶界三叉点的总个数(A)/荧光体颗粒的个数(B)为1.0以下。MaSrbCacAldSieNf[1](式[1]中，M表示激活元素，另外，a、b、c、d、e、f分别为下述范围的值。0＜a≤0.15、0.5≤b＜1、0＜c＜0.5、a+b+c＝1、0.7≤d≤1.3、0.7≤e≤1.3、2.5≤f≤3.5)。

公开(公告)号：CN106574181A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042214.8

申请日：2015-08-06

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 松本创

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供内部量子效率高的SCASN荧光体、包含该荧光体的发光装置、以及包含该发光装置的图像显示装置及照明装置。本发明涉及由下述式[1]表示的荧光体，该荧光体为单微晶进行三维结合而成的荧光体颗粒，该荧光体颗粒含有晶界三叉点，晶界三叉点的总个数(A)/荧光体颗粒的个数(B)为1.0以下。MaSrbCacAldSieNf[1](式[1]中，M表示激活元素，另外，a、b、c、d、e、f分别为下述范围的值。0＜a≤0.15、0.5≤b＜1、0＜c＜0.5、a+b+c＝1、0.7≤d≤1.3、0.7≤e≤1.3、2.5≤f≤3.5)。

公开(公告)号：CN103502514A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018140.0

申请日：2012-04-13

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 松本创 ,  洲崎训任 ,  藤户健史 ,  长尾哲

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B29/406 ,  C30B33/02 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供加工性优异的高品质III族氮化物结晶。通过将III族氮化物单晶在1000℃以上进行热处理，形成含有含III族元素的氧化物、氢氧化物和/或羟基氧化物的覆膜；将该覆膜除去；从而制造出III族氮化物结晶。