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公开(公告)号：CN205509987U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201521128015.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 三维通信股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路，其包括：包括：运算放大器U1、场效应晶体管U2、场效应晶体管U3、漏极PMOS场效应晶体管U4、48V转+5V电源芯片U5,一个+5V转?5V电源芯片U6、电位器R1以及电阻R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9。其中，U1、U5、U6和R1、R2、R3、R4构成栅极供电电路；U2、U3、U4、U6和R5、R6、R7、R8、R9构成漏极延时电路。本实用新型可实现给GaN功率管栅极提供负压偏置，并保证栅压先上电2毫秒后漏压才能接通，保护GaN功率管不会因为栅压过高而烧毁。
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