公开(公告)号：CN1618133A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02820839.0

申请日：2002-11-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  鸟取三洋电机株式会社

Inventor： 口野启史 ,  八木克己

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种化合物半导体发光元件，提高光提取效率，仅一次引线接合即可，能实现对位容易的安装，可减少工序地制作芯片。在绝缘性基板(11)的一面层叠形成由应形成活性层(15)的多个半导体薄膜构成的半导体层(4)，在半导体层(4)上面形成一个电极(33)，在绝缘性基板(11)的另一面形成另一个电极(33)。为了露出和另一个电极(33)连接的第一半导体薄膜层(13)，除去第一半导体薄膜层(13)上的半导体膜而形成暴露区域(10)，在该暴露区域(10)设置贯通绝缘性基板(11)和第一半导体薄膜层(13)的贯通孔(2)，通过贯通孔(2)中形成的导电性材料(3)电连接第一半导体薄膜层(13)和另一个电极(33)。

公开(公告)号：CN102623893A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110421217.6

申请日：2011-12-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋光学设计株式会社

Inventor： 口野启史 ,  井下京治 ,  井上升

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；具有在欧姆电极层的与n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且由Au构成的第三金属层的衰减电极层；和在欧姆电极层和衰减电极层之间所形成的势垒层。