公开(公告)号：CN1617352A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410012007.1

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 久保博稔 ,  五十岚保裕 ,  涩谷政弘

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/456

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，当作为势垒金属层使Ti与硅衬底表面设置的硼扩散区域时，具有硼被钛硅化物吸收，接触电阻降低的问题。虽然也有追加注入被钛硅化物吸收的量的方法，但是，在以例如p沟道型向源极区域的硼中进行追加注入时，在扩散工序中，追加的量会较深地扩散，使特性劣化。在本发明中，在元件区域形成后，以元件区域的10％程度的剂量向整个面追加注入硼，通过势垒金属层的合金化处理，在硅衬底表面附近使其活化。由此，可维持规定元件区域的浓度曲线，可仅提高表面附近的杂质浓度。因此，即使硼被钛硅化物吸收，元件区域也可以维持规定的硼浓度，可以抑制接触电阻的增大。