公开(公告)号：CN86102691A

公开(公告)日：1986-12-17

申请号：CN86102691

申请日：1986-04-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  东京三洋电机株式会社

Inventor： 田端辉夫

IPC: H01L21/72 ,  H01L21/04 ,  H01L27/04 ,  H01L29/72

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L21/74 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/035 ,  Y10S148/038

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层。该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层，由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率fT和电流增益hFE得到提高。

公开(公告)号：CN1004456B

公开(公告)日：1989-06-07

申请号：CN86102691

申请日：1986-04-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田端辉夫

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/223 ,  H01L27/06 ,  H01L29/72

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L21/74 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82285 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/035 ,  Y10S148/038

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，双隔离扩散区的下扩散层加在衬底表面上，在该下扩散层上形成外延层，该层主要朝上向外扩散入外延层，同时从外延层表面深扩散一元件扩散区，然后浅扩散双隔离扩散区的上扩散层。由此抑制上扩散层的横向延伸，改善集成度。本发明器件中双隔离扩散区、集电区、基区及发射区都形成在外延层宽度内。该器件的基区宽度起伏减少，过渡频率fT和电流增益hFE得到提高。

公开(公告)号：CN1003334B

公开(公告)日：1989-02-15

申请号：CN86100558

申请日：1986-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田端辉夫

IPC: H01L29/72

Abstract: 本发明的双极晶体管具有以下构成：P型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的N+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的N型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的P+型隔离区、被隔离区包围而分隔成岛状的外延层所构成的N型集电区、在集电区的表面层部分区域上形成的P型基区、在基区的表面层部分区域上形成的N+型发身区和在除基区以外的整个集电区表菌层上形成的N+区域。

公开(公告)号：CN86100558A

公开(公告)日：1986-10-15

申请号：CN86100558

申请日：1986-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田端辉夫

IPC: H01L29/72

Abstract: 本发明的双极晶体管具有以下构成：P型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的N+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的N型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的P+型隔离区、被隔离区包围而分隔成岛状的外延层所构成的N型集电区、在集电区的表面层部分区域上形成的P型基区、在基区的表面层部分区域上形成的N+型发射区和在除基区以外的整个集电区表面层上形成的N+型区域。