公开(公告)号：CN85105124A

公开(公告)日：1986-12-31

申请号：CN85105124

申请日：1985-07-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  东京三洋电机株式会社

Inventor： 田中忠彦

IPC: H01L29/70

Abstract: 本发明提供一种具有在网状发射极区进行接触的第1发射极电极及在岛状基极接触区进行接触的第1基极和设置在层间绝缘膜上面分别与上述的第1发射极电极和第1基极联结的第2发射极电极和第2基极电极，上述第2发射极电极及上述第2基极电极形成梳齿状，使上述第2发射极电极和上述第1发射极电极在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中，小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容量的晶体管。

公开(公告)号：CN1004844B

公开(公告)日：1989-07-19

申请号：CN85105124

申请日：1985-07-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田中忠彦

IPC: H01L29/70

Abstract: 本发明提供一种具有在网状发射极区(22)进行接触的第1发射极电极(26)及在岛状基极接触区(23)进行接触的第1基极(25)和设置在层间绝缘膜(27)上面分别与上述的第1发射极电极(26)和第1基极(25)联结的第2发射极电极(29)和第2基极电极(28)，上述第2发射极电极(29)及上述第2基极电极(28)形成梳齿状，使上述第2发射极电极(29)和上述第1发射极电极(26)在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中、小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容器的晶体管。