公开(公告)号：CN86100522A

公开(公告)日：1986-09-10

申请号：CN86100522

申请日：1986-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  东京三洋电机株式会社

Inventor： 西井雅晴 ,  栗原一夫

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/1004

Abstract: 岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。

公开(公告)号：CN1003149B

公开(公告)日：1989-01-25

申请号：CN86100522

申请日：1986-03-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  东京三洋电机株式会社

Inventor： 西井雅晴 ,  栗原一夫

IPC: H01L29/72

CPC classification number: H01L29/1004

Abstract: 岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。