公开(公告)号：CN101276814B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710185780.1

申请日：2007-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 相马充 ,  畑博嗣 ,  天辰芳正

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。由于在现有的半导体装置中构成分离区域的P型埋置扩散层的横方向扩散宽度会扩宽等，存在难于使分离区域的形成区域变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在衬底6及外延层(7)中形成分离区域(1、2、3)，划分成多个元件形成区域。连结P型埋置扩散层(8、9)及P型扩散层(10)，形成分离区域(1)。然后，通过在P型埋置扩散层(8)和P型扩散层(10)之间配置P型埋置扩散层(9)，从而使P型埋置扩散层(8)的横方向扩散宽度W1变窄。利用此结构，可使分离区域(1)的形成区域变窄。

公开(公告)号：CN101276814A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710185780.1

申请日：2007-12-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 相马充 ,  畑博嗣 ,  天辰芳正

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。由于在现有的半导体装置中构成分离区域的P型埋置扩散层的横方向扩散宽度会扩宽等，存在难于使分离区域的形成区域变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在衬底6及外延层(7)中形成分离区域(1、2、3)，划分成多个元件形成区域。连结P型埋置扩散层(8、9)及P型扩散层(10)，形成分离区域(1)。然后，通过在P型埋置扩散层(8)和P型扩散层(10)之间配置P型埋置扩散层(9)，从而使P型埋置扩散层(8)的横方向扩散宽度W1变窄。利用此结构，可使分离区域(1)的形成区域变窄。

公开(公告)号：CN101304029B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810127733.6

申请日：2008-02-05

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 相马充 ,  畑博嗣 ,  天辰芳正

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，由于构成ISO的P型埋入层的横向扩散宽度扩展等，存在ISO的形成区域难以变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型基板(6)上形成2层的EPI(7)、(8)。在基板(6)及EPI(7)、(8)中形成ISO(1)、(2)、(3)，划分为多个岛。ISO(1)连结L-ISO(9)、M-ISO(10)及U-ISO(11)而形成。在L-ISO(9)和U-ISO(11)之间配置M-ISO(10)，使L-ISO(9)的横向扩散宽度(W1)变窄。通过该结构，使ISO(1)的形成区域变窄。

公开(公告)号：CN101304029A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127733.6

申请日：2008-02-05

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 相马充 ,  畑博嗣 ,  天辰芳正

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，由于构成ISO的P型埋入层的横向扩散宽度扩展等，存在ISO的形成区域难以变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型基板(6)上形成2层的EPI(7)、(8)。在基板(6)及EPI(7)、(8)中形成ISO(1)、(2)、(3)，划分为多个岛。ISO(1)连结L－ISO(9)、M－ISO(10)及U－ISO(11)而形成。在L－ISO(9)和U－ISO(11)之间配置M－ISO(10)，使L－ISO(9)的横向扩散宽度(W1)变窄。通过该结构，使ISO(1)的形成区域变窄。