公开(公告)号：CN1755904A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510082137.7

申请日：2005-07-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 小内聪 ,  寺中志敦

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/283 ,  H01L29/73 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进行干式蚀刻。进而，由采用例如CVD法的NSG膜(10)添埋槽部(8)，构成隔离区域的沟槽(12)由采用例如CVD法的HTO膜(13)及多晶硅膜(14)添埋。通过该制造方法，可抑制N型埋入扩散层(2)超出必要而爬上，得到具有所希望的耐压特性的半导体装置。