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公开(公告)号：CN1499642A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310113460.7
申请日：2003-11-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明关于一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，使隔着栅极绝缘层与TFT(10)的栅极电极(20)电容结合的第1半导体层(15)，及隔着栅极绝缘层与保持电容的保持电容线(42)电容结合的第2半导体层(16)相互分开，并且由金属配线(43)连接第1半导体层(15)与第2半导体层(16)。即，分别使TFT(10)的栅极电极(20)与第1半导体层(15)电容结合，及使保持电容的保持电容线(42)与第2半导体层(16)电容结合，由于该结合而使各半导体层的电位产生变化，因此，不会产生大的电位差，可防止绝缘破坏或绝缘泄漏的发生。
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公开(公告)号：CN1445862A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119560.1
申请日：2003-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78621
Abstract: 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。
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公开(公告)号：CN100465722C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510072215.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙dr比在穿透区域的间隙dt更小，而该间隙(该液晶层的厚度)d控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部500被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。
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公开(公告)号：CN101105596A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710146521.8
申请日：2005-05-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/139
Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙(dr)比在穿透区域的间隙(dt)更小，而该间隙(该液晶层的厚度，d)控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。
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公开(公告)号：CN1825629A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610001588.8
申请日：2003-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78621
Abstract: 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1268977C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310113461.1
申请日：2003-11-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1345
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其目的在于防止在显示装置中产生薄膜晶体管的闸极绝缘层的绝缘破坏或绝缘漏泄。其中，在闸极线(20)到达垂直驱动器电路(130)的输出部的中途，将闸极线(20)予以分割，并利用上层的金属配线(25)连接分割后的两条闸极线(20、20)。闸极线(20)由例如钼(Mo)或铬(Cr)所形成。而金属配线(25)由铝所形成。由于闸极线(20)经过分割，因此在制造液晶显示装置的过程中蓄积在闸极线(20)的电荷，不会在薄膜晶体管TFT1的闸极配线(13)中产生放电，而得以防止薄膜晶体管TFT2的闸极绝缘层(12)的破坏。
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公开(公告)号：CN1700066A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072215.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/133
Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙dr比在穿透区域的间隙dt更小，而该间隙(该液晶层的厚度)d控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部500被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。
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公开(公告)号：CN1499276A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310113461.1
申请日：2003-11-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1345
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其目的在于防止在显示装置中产生薄膜晶体管的闸极绝缘层的绝缘破坏或绝缘漏泄。其中，在闸极线(20)到达垂直驱动器电路(130)的输出部的中途，将闸极线(20)予以分割，并利用上层的金属配线(25)连接分割后的两条闸极线(20、20)。闸极线(20)由例如钼(Mo)或铬(Cr)所形成。而金属配线(25)由铝所形成。由于闸极线(20)经过分割，因此在制造液晶显示装置的过程中蓄积在闸极线(20)的电荷，不会在薄膜晶体管TFT1的闸极配线(13)中产生放电，而得以防止薄膜晶体管TFT2的闸极绝缘层(12)的破坏。
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公开(公告)号：CN100576035C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710146521.8
申请日：2005-05-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/139
Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙(dr)比在穿透区域的间隙(dt)更小，而该间隙(该液晶层的厚度，d)控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。
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