公开(公告)号：CN1203412A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98108821.X

申请日：1998-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 清水良昭 ,  小仓隆 ,  立园史生 ,  奥田裕之 ,  的野直人 ,  楳田胜美

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046

Abstract: 根据本发明的薄膜磁头中,上部磁芯层9由前部第1磁芯层91a和第2磁芯层92构成,前部第1磁芯层91a形成在间隙隔片层6上,至少在载体朝向面附近具有与记录载体上的磁道宽度相同的宽度,第2磁芯层92从载体朝向面经前部第1磁芯层91a的上面扩展至上部绝缘层72的上面,该上部磁芯层9在从载体朝向面扩展到下部绝缘层71的深度端限制面DE的区域,具有比扩展到上部绝缘层72的上面的区域大的膜厚。前部第1磁芯层91a的上面与下部绝缘层71的上面成为同一平面。