公开(公告)号：CN1627541A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410031631.6

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山本武志 ,  丸山英治 ,  吉岭幸弘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种光生伏打装置，其在透明导电膜的表面粗糙度小的情况下，也能够抑制生产时成品率的降低。该光生伏打装置具有光生伏打元件，其包括：具有2nm以下的算术平均表面粗糙度的氧化物透明导电膜；在氧化物透明导电膜上形成的、至少包含金属材料和树脂材料的糊电极，树脂材料含有60重量％以上100重量％以下的环氧树脂。

公开(公告)号：CN100570901C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200410031631.6

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山本武志 ,  丸山英治 ,  吉岭幸弘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种光生伏打装置，其在透明导电膜的表面粗糙度小的情况下，也能够抑制生产时成品率的降低。该光生伏打装置具有光生伏打元件，其包括：具有2nm以下的算术平均表面粗糙度的氧化物透明导电膜；在氧化物透明导电膜上形成的、至少包含金属材料和树脂材料的糊电极，树脂材料含有60重量%以上100重量%以下的环氧树脂。