公开(公告)号：CN1287429C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410044785.9

申请日：2004-05-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐佐木薰 ,  山本佳司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。

公开(公告)号：CN1574236A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410044785.9

申请日：2004-05-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐佐木薰 ,  山本佳司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。