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公开(公告)号：CN1728518A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510088434.2
申请日：2005-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/072
Abstract: 本发明提供一种降压型DC－DC转换器，其中设置了互相并联连接n－1个电容器(C1～Cn－1)的开关(SWC1～SWCn－1)和(SWC1～SWCn－2)、串联连接这些电容器(C1～Cn－1)的开关(SWB1～SWBn－2)。在第一相中，使开关(S4、S5、SWA1～SWAn－1)和(SWC1～SWCn－2)变为接通，把并联连接的电容器(C1～Cn－1)连接在输出端子(2)与接地电压Vss之间而进行充电，在第二相中，使开关(S1、S6、SWAn－1、SWB1～SWBn－1)变为接通而使串联连接的电容器(C1～Cn－1)连接在输出端子(2)与输入电压Vin(输入端子1)之间而进行放电。通过重复到稳定第一相和第二相为止，从而可以提供把输入电压Vin降压为1/n倍的输出电压Vout。
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公开(公告)号：CN1677861A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062906.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K19/094 , H05B37/02 , G09G3/36 , G02F1/133
CPC classification number: H05B33/0815 , H03K17/063 , H03K17/687 , H03K2217/0036 , H05B33/0827
Abstract: 本发明提供一种减小用于得到发光元件的驱动电流的驱动电路的图案面积，并且谋求效率改善的驱动电路。在白色LED(25)的阳极(26)上外加正电源电压Vdd，在其阴极(27)上介由N沟道型MOS晶体管M(42)，外加从－0.5Vdd发生电路上得到的电压－0.5Vdd。－0.5Vdd发生电路(40)是根据来自时钟发生电路(30)的时钟φ，产生电压－0.5Vdd的电路。在白色LED(25)的阳极、阴极之间，外加与图6的驱动电路等价的1.5Vdd的电压。作为在－0.5Vdd发生电路(40)中多使用N沟道型MOS晶体管的结果，可使用于得到与以往同等的LED(25)的驱动电流的电路的图案面积变小。此外，由此可使寄生电容变小，实现驱动电路的效率改善。
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公开(公告)号：CN100495927C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510095982.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03F3/2175 , H03M1/822
Abstract: 具备：被输入从脉宽调制电路(51)产生的PWM信号的CMOS反相器(70)；以及，被供给CMOS反相器(71)的输出的低通滤波器(53)。CMOS反相器(71)，具备：串联连接在输入电位(Vin)和接地电位(Vss)之间、且各自的栅极上被施加PWM信号的P沟道型的MOS晶体管(M1)及N沟道型的MOS晶体管(M2)；以及，与P沟道型MOS晶体管(M1)并联连接、且与P沟道型MOS晶体管一起构成CMOS传输门的N沟道型MOS晶体管(M3)。从而，即使在反相器的高电位(输入电位Vin)低时，也可不使用大规模的电路，能得到与PWM信号的占空比成比例的输出电压。
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公开(公告)号：CN1744442A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510095982.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03F3/2175 , H03M1/822
Abstract: 具备：被输入从脉宽调制电路(51)产生的PWM信号的CMOS反相器(70)；以及，被供给CMOS反相器(71)的输出的低通滤波器(53)。CMOS反相器(71)，具备：串联连接在输入电位(Vin)和接地电位(Vss)之间、且各自的栅极上被施加PWM信号的P沟道型的MOS晶体管(M1)及N沟道型的MOS晶体管(M2)；以及，与P沟道型MOS晶体管(M1)并联连接、且与P沟道型MOS晶体管一起构成CMOS传输门的N沟道型MOS晶体管(M3)。从而，即使在反相器的高电位(输入电位Vin)低时，也可不使用大规模的电路，能得到与PWM信号的占空比成比例的输出电压。
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