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公开(公告)号：CN100394610C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310118113.3
申请日：2003-11-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/3592 , H01L27/14887 , H04N5/372
Abstract: 在有横型排泄的CCD固体摄像元件中，使加在漏极区上的电压脉冲低压化。将宽度窄的第一区60设置在沟道区50和漏极区54之间设置的分离区56中电荷传输方向的一部分上，其他部分作为宽度相对宽的第二区62。按照与第一区60相邻的传输电极12-2下面的信息电荷所在位置的时序，将电压脉冲加在漏极区54上，使分离区56形成的电位势垒下降。在第一区60中即使脉冲呈低电压，电位势垒也能充分地降低，排出不需要的电荷。另一方面，在信息电荷通过与第二区62相邻的沟道区50的情况下，第二区62的电位势垒能防止电荷向漏极区54漏出，确保传输效率。
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公开(公告)号：CN100373626C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200380100107.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。其中该装置包括：把固体摄像元件的至少一部分遮光的遮光膜(418)；与遮光膜(418)形成在同一层中，一端与焊盘电极(322)连接，并且另一端延伸到半导体基板(300)的侧边的第一布线(407)；绕过半导体基板(300)的侧面而配置，与第一布线(407)连接的第二布线(414)；密封固体摄像元件的密封部件(324)。由此，可更容易地制造具有内部布线的半导体集成装置，且不会损害元件的特性。
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公开(公告)号：CN1245827C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200310101413.0
申请日：2003-10-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , Y10S257/912
Abstract: 本发明涉及固体摄像元件及其制造方法，在采用纵型排泄的CCD固体摄像元件中，抑制由输出放大器的电源电压的下降引起的电荷的漏出。利用三次杂质的注入工序，形成设置在N型硅衬底2的背面的N型杂质层6和表面的N阱4或N+扩散层之间的P阱，使杂质浓度互相不同，形成摄像部及蓄积部下面的P阱、水平传输部下面的P阱10、以及输出部下面的P阱60。配置在输出部下面的P阱60的P型杂质的浓度形成得比其他区域的P阱10的高。
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公开(公告)号：CN1617349A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410090347.6
申请日：2004-11-04
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H01L27/146 , H01L27/00 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/361 , H04N5/3725
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件及其控制方法，该固体摄像器件具有：在半导体基板的表面上受到来自外部的光产生信息电荷的摄像部；和具有在半导体基板的表面上配置的多个传送电极(24－1)～(24－3)，外部的光不会入射地被遮光的蓄积部。并且用传送电极(24－1)～(24－3)传送信息电荷。其特征在于：具有在传送电极(24－1)～(24－3)的附近下方嵌入形成的二极管(26)。从而可不降低固体摄像器件的敏感度和饱和输出的同时，抑制暗电流的产生。另外，可降低用固体摄像器件摄像所获得的信息电荷上的噪声。
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公开(公告)号：CN1519949A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310118113.3
申请日：2003-11-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/3592 , H01L27/14887 , H04N5/372
Abstract: 在有横型排泄的CCD固体摄像元件中，使加在漏极区上的电压脉冲低压化。将宽度窄的第一区60设置在沟道区50和漏极区54之间设置的分离区56中电荷传输方向的一部分上，其他部分作为宽度相对宽的第二区62。按照与第一区60相邻的传输电极12－2下面的信息电荷所在位置的时序，将电压脉冲加在漏极区54上，使分离区56形成的电位势垒下降。在第一区60中即使脉冲呈低电压，电位势垒也能充分地降低，排出不需要的电荷。另一方面，在信息电荷通过与第二区62相邻的沟道区50的情况下，第二区62的电位势垒能防止电荷向漏极区54漏出，确保传输效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1501699A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310118115.2
申请日：2003-11-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14806
Abstract: 课题在于：在CCD固体摄像元件中，如果降低摄像部的驱动电压，则浮游扩散层的复位电位升高，从水平CCD寄存器至浮游扩散层的传输效率劣化。通过两次杂质的注入工序，形成P型硅衬底2的表面上的N阱，使杂质浓度互相不同，形成摄像部及蓄积部下面的N阱70、以及水平传输部下面的N阱90。配置在水平传输部下面的N阱90形成得N型杂质的浓度比摄像部及蓄积部低。因此，能继续维持摄像部及蓄积部的使用电荷量，而使水平CCD寄存器的沟道电位比浮游扩散层的复位电位高。
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公开(公告)号：CN1992822A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610163726.2
申请日：2006-12-04
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/372 , H04N5/353 , H04N5/3591 , H04N5/361
Abstract: 一种固体摄像元件的驱动方法和摄像装置。可抑制帧转送型CCD映像传感器因在受光像素中产生的暗电流而导致S/N比的低下。当曝光期间时，在开始对转送电极施加导通电压VH而形成电位阱，并进行信息电荷的蓄积之前，对该转送电极施加规定的截止电压VL2。截止电压VL2被设定为低于帧转送(期间t18～t19)时的转送时钟的截止电压VL1。例如，VL2被设定为钳位电压。通过VL2的施加，半导体基板表面的表面态会捕获空穴，使得热激励电子不容易从价电子带被激励到传导带，从而抑制了暗电流。
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公开(公告)号：CN1685515A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200380100107.3
申请日：2003-11-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。其中该装置包括：把固体摄像元件的至少一部分遮光的遮光膜(418)；与遮光膜(418)形成在同一层中，一端与焊盘电极(322)连接，并且另一端延伸到半导体基板(300)的侧边的第一布线(407)；绕过半导体基板(300)的侧面而配置，与第一布线(407)连接的第二布线(414)；密封固体摄像元件的密封部件(324)。由此，可更容易地制造具有内部布线的半导体集成装置，且不会损害元件的特性。
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公开(公告)号：CN1591894A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057476.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14843
Abstract: 本发明提供一种不会降低灵敏度、饱和输出，即可抑制暗电流的产生；并且减少利用固体摄像元件的摄像中所获得的信息电荷的干扰的固体摄像元件及其控制方法。本发明的固体摄像元件具备配置在半导体基板表面上的多个转送电极(24)，在由转送电极(24)的作用而形成的电势井中存储应答入射在半导体基板的光而产生的信息电荷，该固体摄像元件具有埋设在转送电极(24)附近下方而形成的光电二极管(26)。
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公开(公告)号：CN1519951A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410005322.1
申请日：2004-02-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 冈田吉弘
IPC: H01L29/762 , H01L27/148
CPC classification number: H01L29/76816 , H01L27/1485
Abstract: 本发明涉及电荷传送元件。具有能抑制反向栅极效果的输出部分构造的电荷传送元件。一种固体摄像元件，它具备沟道区域12，与沟道区域12连接并被配置的第1元件区域18，在第1元件区域18中形成了源极区域和漏极区域的复位晶体管Tr，第2元件区域52，以及在第2区域52中形成源极区域Sd1和漏极区域Dd1，同时，栅极电极与复位晶体管的源极区域连接的第1晶体管Td1，在这样的固体摄像元件中，在第1晶体管Td1的源极区域Sd1和漏极区域Dd1之间，通过第2源极区域52的表面区域的实效的杂质浓度变成比第2元件区域52的半导体衬底和第2元件区域52的边界区域的实效的杂质浓度低能解决上述课题。
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