-
公开(公告)号:CN106189267A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510282712.1
申请日:2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。