公开(公告)号：CN1157752C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00108364.3

申请日：2000-03-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴德成 ,  金尚均 ,  郑奉旭 ,  赵哲植

IPC: H01J29/48

CPC classification number: H01J29/488

Abstract: 末级聚焦电极包括一端上的圆柱形基座和另一端上的锥形出口部分，以便锥形出口部分的直径大于基座直径，并随着其远离基座逐渐增大。末级聚焦电极的锥形出口部分位于圆柱形加速电极内，以便被加速电极同轴包围。

公开(公告)号：CN1268763A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00108364.3

申请日：2000-03-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴德成 ,  金尚均 ,  郑奉旭 ,  赵哲植

IPC: H01J29/48

CPC classification number: H01J29/488

Abstract: 末级聚焦电极包括一端上的圆柱形基座和另一端上的锥形出口部分,以便锥形出口部分的直径大于基座直径,并随着其远离基座逐渐增大。末级聚焦电极的锥形出口部分位于圆柱形加速电极内,以便被加速电极同轴包围。