公开(公告)号：CN118214378A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311226157.1

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张英雄 ,  金正勳 ,  饭塚伸一 ,  河宗钰 ,  李惠眞

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/21 ,  H03F3/19 ,  H03F1/56

Abstract: 本公开提供一种过电流保护电路和包括过电流保护电路的功率放大器，所述过电流保护电路包括：可变电压源，被配置为生成响应于可变电流而变化的第一电压；放大器，包括所述第一电压被施加到的第一输入端子；以及限制电流源，连接到所述放大器的第二输入端子并且被配置为生成对应于所述第一电压的限制电流。

公开(公告)号：CN109698677B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201811092328.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 河宗钰 ,  金正勳 ,  赵炳学

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03F3/45 ,  H03F1/02

Abstract: 本发明提供一种包络跟踪偏置电路、功率放大装置和偏置电路。所述包络跟踪(ET)偏置电路包括：检测电路，被配置为响应于第一控制信号来选择通过所述检测电路的第一输入端子输入的ET操作电压或者从通过所述检测电路的第二输入端子输入的射频RF信号检测的包络信号，并输出所述ET操作电压和所述包络信号中的选择的一个作为检测信号；放大电路，被配置为放大所述检测信号，并输出所述放大的检测信号；以及偏置输出电路，被配置为基于所述放大的检测信号生成ET偏置电流，并输出所述生成的ET偏置电流。

公开(公告)号：CN113691222A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202011237008.1

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 河宗钰 ,  饭塚伸一 ,  李光斗 ,  金正勳 ,  张英雄

IPC: H03F1/30

Abstract: 提供一种产生和限制功率放大器的偏置电流的装置和电子设备。所述装置包括：偏置电流电路，产生偏置电流以使所述功率放大器偏置，并且严格地限制所述偏置电流的增加；以及带隙基准电路，向所述偏置电流电路提供基准电压或基准电流。所述偏置电流电路被配置为当产生所述偏置电流的第一偏置晶体管从线性区转换到饱和区时，基于所述基准电压或所述基准电流来严格地限制所述偏置电流的增加。

公开(公告)号：CN110838824A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910221300.5

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵炳学 ,  河宗钰 ,  张英雄 ,  金正勳

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/21

Abstract: 本公开涉及一种用于改善线性度的偏置电路和功率放大器，所述偏置电路包括：电流源，用于产生参考电流；温度补偿部，响应于第一控制信号而在初始启动时段内处于断开状态，并且在所述初始启动时段之后的正常驱动时段内处于导通状态，并且接收所述参考电流的第一电流；以及偏置输出部，在所述初始启动时段内基于所述参考电流产生预热电流，并且在所述正常驱动时段内基于比所述参考电流低所述第一电流的量的第二电流产生偏置电流。

公开(公告)号：CN109698677A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811092328.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 河宗钰 ,  金正勳 ,  赵炳学

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03F3/45 ,  H03F1/02

Abstract: 本发明提供一种包络跟踪偏置电路、功率放大装置和偏置电路。所述包络跟踪(ET)偏置电路包括：检测电路，被配置为响应于第一控制信号来选择通过所述检测电路的第一输入端子输入的ET操作电压或者从通过所述检测电路的第二输入端子输入的射频RF信号检测的包络信号，并输出所述ET操作电压和所述包络信号中的选择的一个作为检测信号；放大电路，被配置为放大所述检测信号，并输出所述放大的检测信号；以及偏置输出电路，被配置为基于所述放大的检测信号生成ET偏置电流，并输出所述生成的ET偏置电流。

公开(公告)号：CN108696119A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810025989.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵炳学 ,  金正勋 ,  白铉 ,  河宗钰

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明提供一种功率放大设备。所述功率放大设备包括：电力电路，被配置为产生操作电力；随机脉冲产生电路，被配置为被供应所述操作电力，并且使用输入的射频(RF)信号产生脉冲宽度随时间随机变化的脉冲宽度调制信号；以及电荷泵电路，被配置为被供应所述操作电力，并且根据所述脉冲宽度调制信号随机执行开关操作，以产生负电压。

公开(公告)号：CN118174431A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202310904470.X

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金正勳 ,  河宗钰 ,  张英雄 ,  饭塚伸一 ,  李惠眞

IPC: H02J9/06 ,  H03K17/687

Abstract: 本申请公开了一种电源开关电路和开关驱动电路。所述电源开关电路包括：第一开关，被配置为对第一电源电压向功率放大器的电源端子的供应进行切换；以及开关驱动电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管被配置为使所述第一开关接通，第二晶体管被配置为使所述第一开关断开。所述开关驱动电路还可包括第一电阻器，所述第一电阻器位于当所述第一晶体管导通时在所述第一晶体管与所述第一开关之间形成的接通路径上。

公开(公告)号：CN111106803B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910930764.3

申请日：2019-09-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张英雄 ,  赵炳学 ,  金正勳 ,  河宗钰 ,  白铉 ,  饭塚伸一

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/30

Abstract: 提供一种具有改善的线性度的放大设备。所述放大设备包括放大电路，所述放大电路包括功率放大器、偏置电路以及温度控制电路，所述偏置电路被配置为检测所述功率放大器的周围温度以输出温度电压并基于输入的控制信号调节内部电流，以将通过所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器，所述温度控制电路在从传输模式起始时间点至输入输入信号的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述控制信号，并将所述控制信号输出到所述放大电路。

公开(公告)号：CN110829981B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910312243.1

申请日：2019-04-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 河宗钰 ,  金正勳 ,  赵炳学 ,  饭塚伸一

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24

Abstract: 本发明公开一种具有提高的响应速度的功率放大器装置及偏置电路。所述功率放大器装置包括：偏置电路，在稳定驱动时间点之前的启动时间期间产生基于内部电压和启动电压的启动电流，并且在所述稳定驱动时间点之后产生基于所述内部电压的偏置电流；以及启动电路，在所述启动时间期间向所述偏置电路供应所述启动电压。

公开(公告)号：CN115833813A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210802471.9

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张英雄 ,  金正勳 ,  饭塚伸一 ,  河宗钰 ,  李惠眞

IPC: H03K17/687 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

Abstract: 本公开提供一种电源开关电路及其操作方法。所述电源开关电路包括：第一晶体管，对向功率放大器的电源端子的第一电源电压的供应进行切换；开关控制器，控制所述第一晶体管，并且所述开关控制器被施加第二电源电压；以及电压选择器，在所述第一电源电压和所述第二电源电压中选择较高电压。选择的较高电压被施加到所述第一晶体管的体端子和/或所述第一晶体管的栅极端子。