-
公开(公告)号:CN119224889A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202410525160.1
申请日:2024-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开涉及透镜,该透镜包括:透镜部分;多层抗反射(AR)涂层,包括低折射率层和高折射率层中的一个或两个,并且设置在透镜部分的一个表面上;以及防水层,包括防水剂,并且设置在多层AR涂层的一个表面上。低折射率层和高折射率层中的一个或两个由带隙大于3.1eV的基于氮化物的材料形成。
-
公开(公告)号:CN112087215B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN201911291846.4
申请日:2019-12-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基板,包括外部连接电极;连接层,连接到所述外部连接电极且设置在所述基板上;第一电极,被设置为覆盖所述连接层的至少一部分;压电层,被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;以及第二电极,被设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述连接层可被设置为围绕腔,并且可连接到所述第一电极和所述第二电极。
-
-
-
公开(公告)号:CN115733458A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202210533826.9
申请日:2022-05-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:板;谐振部,包括设置在所述板上的第一电极、压电层和第二电极;以及温度补偿层,设置在所述谐振部上,其中,所述温度补偿层包括利用电介质形成的温度补偿部和利用与所述温度补偿部的材料不同的材料形成的损耗补偿部,并且其中,所述温度补偿部和所述损耗补偿部中的每个包括多个线性图案,并且所述温度补偿部的所述线性图案和所述损耗补偿部的所述线性图案交替地设置。
-
公开(公告)号:CN115473507A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202210021989.9
申请日:2022-01-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种声波谐振器封装件。所述声波谐振器封装件包括:声波谐振器,包括在基板的第一表面上的声波谐振器;盖,设置为面向所述基板的所述第一表面;结合构件,设置在所述基板与所述盖之间,并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合,其中,所述结合构件包括玻璃熔块,并且所述声波谐振器的结合到所述结合构件的所述结合表面可利用介电材料形成。
-
公开(公告)号:CN114679155A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202110836096.5
申请日:2021-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器滤波器。体声波谐振器滤波器包括:串联体声波谐振器,串联电连接在第一端口和第二端口之间,射频信号通过第一端口和第二端口;第二分路体声波谐振器,分路电连接在串联体声波谐振器与地之间,并且第二分路体声波谐振器的谐振频率低于串联体声波谐振器的谐振频率;以及第一分路体声波谐振器,串联电连接到第二分路体声波谐振器并且具有高于第二分路体声波谐振器的谐振频率的谐振频率。串联体声波谐振器和第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括:第一电极,设置在基板上方;压电层,设置在第一电极的上表面上;第二电极,设置在压电层的上表面上;以及沟槽,形成在第二电极的上表面中或所述第二电极上方并且向下凹入。
-
公开(公告)号:CN108696262B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201810224679.0
申请日:2018-03-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于减小谐波失真的体声波谐振器及体声波滤波器,所述体声波(BAW)谐振器包括:基板;第一BAW谐振器,包括设置在所述基板上的第一气腔,还包括堆叠在所述第一气腔上的第一电极、第一压电层和第二电极;第二BAW谐振器,包括设置在所述基板上的第二气腔,还包括堆叠在所述第二气腔上的第一电极、第二压电层和第二电极,其中,所述第二BAW谐振器并联连接到所述第一BAW谐振器并且具有与所述第一BAW谐振器的极性相反的极性;以及补偿电容器电路,连接在所述第一BAW谐振器与所述第二BAW谐振器之间。
-
公开(公告)号:CN113676151A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110101206.3
申请日:2021-01-26
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法,所述体声波谐振器包括:谐振器,包括顺序地堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极;以及插入层,设置在所述压电层下方,且被构造为以部分地升高所述压电层和所述第二电极,其中,所述插入层可利用包含硅(S)、氧(O)和氮(N)的材料形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-