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发明公开
磁阻随机存取存储器设备审中-实审

公开(公告)号：CN116052740A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211337887.4

申请日：2022-10-28

Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团

Inventor： 朴钟善 , 张闰皓 , 朴盛健

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种半导体存储器设备包括：第一字线和第二字线、位线、源极线和存储器单元。存储器单元包括：自旋轨道矩(SOT)图案，其第一端电性耦接到源极线；磁隧道结图案，其邻近SOT图案延伸；读取晶体管，其具有电性耦接到磁隧道结图案的第一端的第一载流端、电性耦接到位线的第二载流端和电性耦接到第一字线的栅极端。存储器单元还包括：写入晶体管，其具有电性耦接到SOT图案的第二端的第一载流端、电性耦接到磁隧道结图案的第一端的第二载流端和电性耦接到第二字线的栅极端。

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