公开(公告)号：CN111312801B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910949506.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金文铉 ,  朴炳国 ,  赵槿汇 ,  金时铉 ,  李基太

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D62/13 ,  H10D84/83 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN111312801A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910949506.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金文铉 ,  朴炳国 ,  赵槿汇 ,  金时铉 ,  李基太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。