具有缺陷探测电路的半导体芯片

    公开(公告)号:CN107068637B

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201610879501.0

    申请日:2016-10-08

    Abstract: 一种半导体芯片,包括:衬底上的栅极图案;栅极图案上的层间绝缘层;在层间绝缘层上的第一布线结构;以及电连接到所述栅极图案和第一布线结构的缺陷探测电路。第一布线结构通过接触插塞电连接到栅极图案,该接触插塞穿过所述层间绝缘层。所述缺陷探测电路电连接到所述栅极图案和第一布线结构,且所述缺陷探测电路被构造成探测所述第一布线结构以及所述栅极图案和衬底中的至少一个内的缺陷。

    背光组件以及带有该背光组件的显示装置

    公开(公告)号:CN100440006C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200410078703.2

    申请日:2004-09-17

    CPC classification number: G02F1/133604 F21V19/0085 G02F1/133608

    Abstract: 一种背光组件,包括:至少一个发光灯;具有容纳空间的容纳部件;和灯固定件,设置在容纳部件的容纳空间内。该灯固定件包括:基臂,彼此相互平行设置;至少一个灯夹,夹持至少一个灯并连接在基臂之间;和至少一个缓冲部件,该缓冲部件形成在各个基臂中,以便允许由于容纳空间的尺寸变化导致的基臂的长度变化。一图像显示装置,包括:用于显示图像的显示面板;和用于向显示面板提供光的背光组件。该图像显示装置也包括具有另一缓冲部件的顶架,该缓冲部件允许顶架部分在长度上变化。

    存储装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106601745B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201610354031.6

    申请日:2016-05-25

    Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括:单元区域,包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层;以及外围电路区域,包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。

    存储装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106601745A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201610354031.6

    申请日:2016-05-25

    Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括:单元区域,包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层;以及外围电路区域,包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。

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