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公开(公告)号：CN117712164A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311167824.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件包括衬底。第一沟道图案设置在衬底上。第一沟道图案包括在第一方向上彼此相对的第一侧和第二侧。第一栅电极设置在第一沟道图案的第一侧上。第一源/漏电极设置在第一沟道图案的第一侧上。第二源/漏电极设置在第一沟道图案的第二侧上。第一栅电极在第一方向上与第二源/漏电极重叠。
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