公开(公告)号：CN110556304A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910410715.7

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 徐东灿 ,  曹万镐 ,  宋宇彬 ,  郑光植

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G06F17/50

Abstract: 提供了一种用于制造具有改善的掺杂分布的半导体器件的方法。该方法包括：提供测量目标，该测量目标包括具有多个层的第一区域；将第一输入信号输入到测量目标中并测量所得到的第一输出信号，例如透射通过第一区域或被第一区域反射的第一输出电场随时间的变化。基于包括多个第一建模层的第一结构信息和关于多个第一建模层中的每个建模层的掺杂浓度的信息的第一模型，计算第二输出信号。当比较第一输出信号和第二输出信号的结果小于阈值时，可以基于第一模型来估计测量目标的三维模型。这种非破坏性测量可用于确定对应于理想掺杂分布的制造工艺参数，并用于制造实现这种制造工艺参数的半导体器件。

公开(公告)号：CN110556304B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201910410715.7

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 徐东灿 ,  曹万镐 ,  宋宇彬 ,  郑光植

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G06F30/333 ,  G06F30/39 ,  G06F119/18

Abstract: 提供了一种用于制造具有改善的掺杂分布的半导体器件的方法。该方法包括：提供测量目标，该测量目标包括具有多个层的第一区域；将第一输入信号输入到测量目标中并测量所得到的第一输出信号，例如透射通过第一区域或被第一区域反射的第一输出电场随时间的变化。基于包括多个第一建模层的第一结构信息和关于多个第一建模层中的每个建模层的掺杂浓度的信息的第一模型，计算第二输出信号。当比较第一输出信号和第二输出信号的结果小于阈值时，可以基于第一模型来估计测量目标的三维模型。这种非破坏性测量可用于确定对应于理想掺杂分布的制造工艺参数，并用于制造实现这种制造工艺参数的半导体器件。

公开(公告)号：CN116799032A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310151573.3

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 曹万镐 ,  权奇贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成半导体层，该半导体层包括二维半导体材料；在半导体层上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属接触层；以及去除牺牲层。在去除牺牲层之后，通过范德华键将半导体层和金属接触层彼此结合。