图像传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111430389B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN201911423578.7

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 一种图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面;多个光电转换器件,所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触;第一沟槽,所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸;第一支撑件,所述第一支撑件在所述第一沟槽内;以及第一隔离层,所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁,其中,所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。

    集成电路器件
    3.
    发明公开
    集成电路器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118693089A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410216539.4

    申请日:2024-02-27

    Inventor: 李荣彬 张晚

    Abstract: 一种集成电路器件,包括:基板;绝缘结构,所述绝缘结构位于所述基板的前部表面上;接触结构,所述接触结构包括延伸穿过所述基板的第一插塞部分;以及自组装有机材料绝缘衬垫,所述自组装有机材料绝缘衬垫在所述第一插塞部分与所述基板之间。

    图像传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111430389A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201911423578.7

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 一种图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面;多个光电转换器件,所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触;第一沟槽,所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸;第一支撑件,所述第一支撑件在所述第一沟槽内;以及第一隔离层,所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁,其中,所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。

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