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公开(公告)号：CN116994621A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310395919.4
申请日：2023-04-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 庆熙大学校产学协力团
IPC: G11C11/412 , G11C11/413 , G11C11/419 , G11C11/408
Abstract: 提供了存储电路及半导体器件。一种存储电路包括其中具有第一晶体管对至第四晶体管对的多级锁存电路，第一晶体管对至第四晶体管对分别包括通过第一存储节点至第四存储节点中的对应一者串联连接的上拉晶体管和下拉晶体管。设置有其中具有不同导电类型的多个存取晶体管的存取电路。所述多个存取晶体管电耦接到所述第一存储节点至所述第四存储节点中的至少两个存储节点，并且被配置为：使得数据位能够写入所述第一存储节点至所述第四存储节点中的至少一些存储节点中，以及使得能够从所述第一存储节点至所述第四存储节点中的至少一些存储节点读取数据位。设置有在所述写入和所述读取期间控制所述存取电路的控制电路。
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