公开(公告)号：CN103778960A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310503050.7

申请日：2013-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： Y.尹 ,  S.车 ,  D.姜 ,  C.金

IPC: G11C16/06 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C7/1084 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

Abstract: 示例实施例包括用于电阻型存储器的感测放大器中的电平移位写驱动器。写驱动器可以包括交叉耦合的锁存电路、第一输出部分、第二输出部分和输入部分。第一输出部分包括一个或多个第一驱动晶体管以驱动第一电流通过第一输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。第二输出部分包括一个或多个第二驱动晶体管，被配置为驱动第二电流通过第二输出部分而不通过交叉耦合的锁存器。输出部分的电流与锁存电路隔离。在一些实施例中，没有两个PMOS类型晶体管串联连接，从而减少了管芯面积的消耗。在一些实施例中，使用单个控制信号来操作写驱动器。

公开(公告)号：CN103456341B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310218365.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： Y.允 ,  A.E.翁 ,  S.车 ,  C.金

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2207/063

Abstract: 示范性实施例包括一种电阻型存储器电流感测放大器电路，包括：差分输出端子、第一和第二输入端子、预充电晶体管和直接耦合到预充电晶体管的电流调制晶体管。在电流感测放大器电路操作的“就绪”或者“预充电”阶段期间，预充电结构提供了高峰值电流对位线和参考线充电。电流调制晶体管被配置成至少在“置位”或者“放大”阶段期间操作于饱和区模式。在“置位”或者“放大”阶段期间，电流调制晶体管连续地平均位线电流和参考线电流，从而提高了电路的抗噪声性。在操作的“go”或者“锁存”阶段期间，逻辑值“0”或者“1”被基于锁存电路的正反馈锁存在差分输出端子。

公开(公告)号：CN103456341A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310218365.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： Y.允 ,  A.E.翁 ,  S.车 ,  C.金

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2207/063

Abstract: 示范性实施例包括一种电阻型存储器电流感测放大器电路，包括：差分输出端子、第一和第二输入端子、预充电晶体管和直接耦合到预充电晶体管的电流调制晶体管。在电流感测放大器电路操作的“就绪”或者“预充电”阶段期间，预充电结构提供了高峰值电流对位线和参考线充电。电流调制晶体管被配置成至少在“置位”或者“放大”阶段期间操作于饱和区模式。在“置位”或者“放大”阶段期间，电流调制晶体管连续地平均位线电流和参考线电流，从而提高了电路的抗噪声性。在操作的“go”或者“锁存”阶段期间，逻辑值“0”或者“1”被基于锁存电路的正反馈锁存在差分输出端子。