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公开(公告)号：CN115799168A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211095057.5
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了包括通路的集成电路器件及形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括在基板上形成导电线结构。导电线结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的导电线堆叠，并且导电线堆叠可以包括堆叠在基板上的导电线和掩模层。该方法还可以包括：通过去除掩模层而在第一绝缘层中形成凹槽，该凹槽暴露导电线；在第一绝缘层上和第一绝缘层的凹槽中形成蚀刻停止层以及然后形成第二绝缘层；以及形成延伸穿过第二绝缘层和蚀刻停止层并接触导电线的导电通路。
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