公开(公告)号：CN117641899A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311065598.8

申请日：2023-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄恩锡 ,  严祥训 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件可包括在基底上的位线、在位线之上并与位线间隔开的栅电极、在栅电极的侧壁上的栅极绝缘图案、在栅极绝缘图案的侧壁上并包括氧化物半导体材料的沟道、接触沟道的上表面并包括非晶氧化物半导体材料的导电图案、和接触导电图案的上表面的接触插塞。接触插塞可包括金属。非晶氧化物半导体材料可掺杂有氟(F)、氯(Cl)、氮(N)、氢(H)或氩(Ar)。

公开(公告)号：CN119403123A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410191860.1

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄恩锡

IPC: H10B12/00 ,  H10D64/27

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种双动态随机存取存储器单元。所述半导体装置包括：基底，其上具有一对第二导电线；以及第一导电线，在所述一对第二导电线与基底之间延伸。接触插塞在所述一对第二导电线之间延伸并且电连接到所述第一导电线。栅电极在接触插塞上延伸。第一半导体图案和第二半导体图案分别在所述一对第二导电线中的第一导电线和第二导电线上延伸。栅极绝缘图案在第一半导体图案和第二半导体图案中的每个与栅电极之间延伸。第一导电线可以被构造为字线，并且所述一对第二导电线可以被构造为一对位线。栅电极可以被构造为第一DRAM单元内的第一存取晶体管的栅电极和第二DRAM单元内的第二存取晶体管的栅电极。