公开(公告)号：CN103654787B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310438793.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔胜齐 ,  朴东瑾 ,  黄圭完

IPC: A61B5/055

CPC classification number: G01R33/28 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/3802 ,  G01R33/381 ,  G01R33/3858 ,  G01R33/56518 ,  Y10T29/49004

Abstract: 一种磁共振成像（MRI）方法和装置，其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称。该结构在偏离静磁场线圈单元和梯度线圈单元的同心布置时允许涡流电流的对称布置。MRI装置包括：静磁场线圈单元，配置为在目标中形成静磁场；梯度线圈单元，配置为在静磁场中形成梯度场；和一个或多个导体，安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中，并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。

公开(公告)号：CN103654787A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310438793.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔胜齐 ,  朴东瑾 ,  黄圭完

IPC: A61B5/055

CPC classification number: G01R33/28 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/3802 ,  G01R33/381 ,  G01R33/3858 ,  G01R33/56518 ,  Y10T29/49004

Abstract: 一种磁共振成像（MRI）方法和装置，其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称。该结构在偏离静磁场线圈单元和梯度线圈单元的同心布置时允许涡流电流的对称布置。MRI装置包括：静磁场线圈单元，配置为在目标中形成静磁场；梯度线圈单元，配置为在静磁场中形成梯度场；和一个或多个导体，安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中，并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。

公开(公告)号：CN106531395B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610815938.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄圭完

IPC: H01F6/04

CPC classification number: H01F6/04 ,  F17C3/085 ,  F25B2400/17 ,  F25D19/00 ,  F25D19/006

Abstract: 本公开涉及一种超导磁体设备，所述超导磁体设备包括低温冷却器和容纳所述低温冷却器的冷却器室。至少一个突起设置在低温冷却器的外表面和冷却器室的内表面中的一个表面上，固持槽设置在低温冷却器的外表面和冷却器室的内表面中的另一表面中。突起插入在固持槽中，从而通过固持槽和突起来稳定地保持低温冷却器安装在冷却器室中的状态。

公开(公告)号：CN106531395A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610815938.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄圭完

IPC: H01F6/04

CPC classification number: H01F6/04 ,  F17C3/085 ,  F25B2400/17 ,  F25D19/00 ,  F25D19/006

Abstract: 本公开涉及一种超导磁体设备，所述超导磁体设备包括低温冷却器和容纳所述低温冷却器的冷却器室。至少一个突起设置在低温冷却器的外表面和冷却器室的内表面中的一个表面上，固持槽设置在低温冷却器的外表面和冷却器室的内表面中的另一表面中。突起插入在固持槽中，从而通过固持槽和突起来稳定地保持低温冷却器安装在冷却器室中的状态。