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公开(公告)号：CN115207099A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111419130.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供了一种功率器件及制造该功率器件的方法。该功率器件可以包括沟道层、在沟道层的相应侧的源极和漏极、在沟道层上在源极和漏极之间的栅极、覆盖源极、漏极和栅极的钝化层、以及在钝化层中的多个场板。所述多个场板可以具有不同的厚度。所述多个场板可以具有不同的宽度、不同的图案形状、或者不同的宽度和不同的图案形状两者。
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