公开(公告)号：CN103094207A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210330245.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入（PAI）工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

公开(公告)号：CN108461394A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810358912.4

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

公开(公告)号：CN104241369A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410287476.8

申请日：2014-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  高铤槿 ,  郑圣勋 ,  李宽钦 ,  李化成 ,  金傔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在器件隔离层上并交叉鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在栅极电极两侧的鳍型有源图案上；以及鳍间隔物，在鳍型有源图案的侧壁上，该鳍间隔物具有低介电常数并在器件隔离层和抬高的源极/漏极之间。

公开(公告)号：CN108461394B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201810358912.4

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

公开(公告)号：CN102956503A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210282278.3

申请日：2012-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李炳赞 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。