公开(公告)号：CN1331472A

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN00132395.4

申请日：2000-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来 ,  朴钟烈 ,  郑珉喆 ,  韩相集

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40615 ,  G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储装置及其操作方法。该存储装置使用刷新型存储单元。在读/写周期中,用零写入恢复时间完成刷新和连续读/写操作。在读/写周期变得很长上时,在读写周期期间执行多次刷新操作。因此该装置操作没有最大写周期时间限制。该方法利用外部写命令储存地址和数据到寄存器而不是存储单元阵列中。当外部写命令发数据存在的信号时,需要零写入恢复时间,而不管外部写需要多长时间完成。在外部写命令结束之后的一时间内,短脉动写操作把数据转移到存储单元阵列。

公开(公告)号：CN1315132C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN00132395.4

申请日：2000-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来 ,  朴钟烈 ,  郑珉喆 ,  韩相集

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储装置及其操作方法。该存储装置使用刷新型存储单元。在读/写周期中，用零写入恢复时间完成刷新和连续读/写操作。在读/写周期变得很长上时，在读写周期期间执行多次刷新操作。因此该装置操作没有最大写周期时间限制。该方法利用外部写命令储存地址和数据到寄存器而不是存储单元阵列中。当外部写命令发数据存在的信号时，需要零写入恢复时间，而不管外部写需要多长时间完成。在外部写命令结束之后的一时间内，短脉动写操作把数据转移到存储单元阵列。