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公开(公告)号：CN108351892B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201680064625.1
申请日：2016-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F16/16 , G06F3/0482 , G06F3/0484 , G06F3/04886 , G06F3/04817 , G06F3/04883
Abstract: 本发明涉及用于提供对象推荐的电子装置和方法。根据各种实施例的电子装置每个包括：显示器；和处理器，其中，该处理器可以配置为接收生成包括在显示器上显示的第一对象的文件夹的请求，响应于该请求基于与第一对象相关联的第一信息搜索至少一个对象推荐，和显示搜索到的至少一个对象推荐。此外，其他实施例是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1236992A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99105861.5
申请日：1999-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L21/76895 , H01L28/60 , H01L28/82
Abstract: 公升了一种制造DRAM单元电容器的改进方法,能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括:腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层,形成存储接触孔,用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞,在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区,使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层,形成到存储接触栓塞上表面的开口,以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。
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公开(公告)号：CN1140926C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN99105861.5
申请日：1999-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L21/76895 , H01L28/60 , H01L28/82
Abstract: 公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法，能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括：腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层，形成存储接触孔，用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞，在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区，使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层，形成到存储接触栓塞上表面的开口，以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。
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公开(公告)号：CN111107218B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910953329.2
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种处理用户话语的用户终端及其控制方法。根据本公开的各种实施方式的用户终端包括：处理器，配置为用户终端的部分或被配置为与用户终端远程通信；以及存储器，配置为可操作地连接到处理器，其中存储器可被配置为存储指令，指令配置为在执行时使处理器能够：接收用户话语，用户话语包括用于对多个图像进行分类的第一表达；使用通信电路将关于接收到的用户话语的信息发送到外部电子装置；以及通过接收与用户话语相关联的操作信息来执行根据操作信息的任务，且操作信息可包括提供第一表达和第二表达的操作，第二表达指示关于由第一表达分类的图像的属性信息。
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公开(公告)号：CN111107218A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910953329.2
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种处理用户话语的用户终端及其控制方法。根据本公开的各种实施方式的用户终端包括：处理器，配置为用户终端的部分或被配置为与用户终端远程通信；以及存储器，配置为可操作地连接到处理器，其中存储器可被配置为存储指令，指令配置为在执行时使处理器能够：接收用户话语，用户话语包括用于对多个图像进行分类的第一表达；使用通信电路将关于接收到的用户话语的信息发送到外部电子装置；以及通过接收与用户话语相关联的操作信息来执行根据操作信息的任务，且操作信息可包括提供第一表达和第二表达的操作，第二表达指示关于由第一表达分类的图像的属性信息。
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