公开(公告)号：CN109919992B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201811391750.0

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石立龙 ,  韩承勳

IPC: G06T7/55

Abstract: 本发明公开一种估测图像中的深度的结构光系统及方法。接收图像，其中所述图像是已在上面投射参考光图案的场景的图像。参考光图案的投影包括预定数目个子图案。基于硬码模板匹配技术或基于所接收图像的分块对应于参考光图案的子图案的机率来对分块与子图案进行匹配。如果使用查找表，则所述表可为机率矩阵，可包含预先计算的关联性得分或者可包含预先计算的类别标识。基于分块与子图案之间的不同来确定分块的深度的估测值。

公开(公告)号：CN110471050A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910367333.0

申请日：2019-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王一兵 ,  韩承勳 ,  石立龙 ,  罗炳勳 ,  伊利亚·奥夫桑尼科夫

IPC: G01S13/02 ,  G01S13/42 ,  G01S13/89 ,  G01S7/481

Abstract: 提供了一种结构光成像系统和一种扫描场景的方法。所述结构光成像系统包括投射器、图像传感器和控制器。投射器将结构光图案投射到场景的被选择的片段上，其中，场景的被选择的片段包括在第一方向上的第一预定尺寸和在与第一方向基本正交的第二方向上的第二预定尺寸。图像传感器对场景的被选择的片段进行扫描并且产生与被选择的片段的至少一个区域中的每个区域对应的输出。图像传感器和投射器以极线方式同步。控制器结合到图像传感器并检测物体是否位于每个被扫描的区域内，并且控制投射器以使结构光图案朝向场景的被选择的片段中尚未检测到物体的区域投射第一多次。

公开(公告)号：CN109919992A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201811391750.0

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石立龙 ,  韩承勳

IPC: G06T7/55

Abstract: 本发明公开一种估测图像中的深度的结构光系统及方法。接收图像，其中所述图像是已在上面投射参考光图案的场景的图像。参考光图案的投影包括预定数目个子图案。基于硬码模板匹配技术或基于所接收图像的分块对应于参考光图案的子图案的机率来对分块与子图案进行匹配。如果使用查找表，则所述表可为机率矩阵，可包含预先计算的关联性得分或者可包含预先计算的类别标识。基于分块与子图案之间的不同来确定分块的深度的估测值。

公开(公告)号：CN118693116A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410310861.3

申请日：2024-03-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 崔成栗 ,  韩承勳 ,  朴哲民 ,  秦赫俊

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体基底；二维材料层，位于半导体基底的上表面上，并且包括过渡金属二硫属化物；顶部吸收件，位于二维材料层的上表面上，并且包括石墨烯；以及多个等离体子纳米颗粒，位于顶部吸收件的上表面上，其中，半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅，二维材料层具有n型导电性，二维材料层和半导体基底形成pn二极管。

公开(公告)号：CN118610219A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410226335.9

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 崔成栗 ,  韩承勳 ,  朴哲民 ,  秦赫俊

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括顶表面和底表面；二维(2D)材料层，在半导体基底的顶表面上，并且包括二硫化钼(MoS2)；以及顶部吸收件，在2D材料层的顶表面上，并且包括石墨烯，其中，半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅，2D材料层具有n型导电性，并且半导体基底和2D材料层被构造为形成p‑n二极管。