公开(公告)号：CN101643196B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200910004187.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  朴京洙 ,  韩在熔

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/113 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66 ,  H01L33/18

Abstract: 本发明公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。

公开(公告)号：CN101643196A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910004187.1

申请日：2009-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银京 ,  崔秉龙 ,  朴京洙 ,  韩在熔

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/113 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66 ,  H01L33/18

Abstract: 这里公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。