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公开(公告)号：CN114334963A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110686056.7
申请日：2021-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种集成电路。所述集成电路包括至少一个去耦单元，其中，所述至少一个去耦单元包括至少一个P型去耦MOSFET和至少一个N型去耦MOSFET，并且所述至少一个P型去耦MOSFET的数量不同于所述至少一个N型去耦MOSFET的数量。
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