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发明公开
半导体封装及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117878063A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311316581.5

申请日：2023-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈炯佑 , 严明彻

IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/48 , H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：下部结构，包括设置在其上表面上的第一下导电焊盘；第一半导体芯片，设置在下部结构上，第一半导体芯片包括设置在其下表面上的第一芯片导电焊盘；焊球，连接第一下导电焊盘和第一芯片导电焊盘；光敏绝缘层，填充下部结构和第一半导体芯片之间的空间；以及第一有机绝缘层，覆盖第一芯片导电焊盘的侧表面。

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