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公开(公告)号:CN118262780A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311723396.8
申请日:2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置、存储器装置测试方法和测试系统。所述存储器装置包括:存储器单元阵列;时序电路,被配置为:生成第一时钟信号和第二时钟信号,第二时钟信号具有第一时钟信号的频率的i倍的频率;命令解码器,被配置为接收包括多个即时(OTF)位的OTF数据;接收器,被配置为接收输入数据,被配置为基于第一时钟信号对输入数据进行采样,并且被配置为基于采样的输入数据生成第一信号;解串器,被配置为基于所述第二时钟信号从第一信号生成第一解串行化信号;数据模式生成器,被配置为基于第二时钟信号根据第一解串行化信号和OTF数据生成模式信号;以及解码器,被配置为将模式信号发送到存储器单元阵列,其中,i是大于或等于2的自然数。
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公开(公告)号:CN114627947A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111087817.3
申请日:2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括:测试模式数据存储装置,被配置为在测试操作期间,响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据,并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据;存储器单元阵列,包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据;读取路径单元,被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据;以及测试读取数据生成单元,被配置为在测试操作期间,通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据,并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。
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