公开(公告)号：CN116390493A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211641903.9

申请日：2022-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陆然根 ,  金爀 ,  李荣湜

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种三维半导体存储器件和包括三维半导体存储器件的电子系统，三维半导体存储器件包括：基板，包括第一区域和第二区域，第二区域从第一区域延伸；堆叠，包括交替且重复地堆叠在基板上的层间绝缘层和栅电极，堆叠在第二区域上具有阶梯结构；覆盖堆叠的阶梯结构的绝缘层；第一垂直沟道结构，在第一区域上，穿透堆叠并与基板接触；第一接触插塞，在第二区域上并穿透绝缘层和堆叠；以及第一绝缘焊盘，在绝缘层中并且分别包围第一接触插塞的上部，其中第一绝缘焊盘在水平方向上与第一垂直沟道结构重叠。

公开(公告)号：CN115768118A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211064994.4

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍荣 ,  金爀 ,  陆然根

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了包括沟道结构和贯穿电极的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括包含下布线的下结构。水平布线层设置在下结构上，同时包括水平导电层和延伸穿过水平导电层的水平绝缘层。堆叠结构设置在水平布线层上。提供在延伸穿过堆叠结构的同时延伸到水平布线层中的沟道结构。提供在延伸穿过堆叠结构和水平绝缘层的同时连接到下布线的贯穿电极。堆叠结构包括重复交替地堆叠的绝缘层和电极层以及设置在绝缘层的侧表面和电极层的侧表面处的层间绝缘层。贯穿电极包括延伸到层间绝缘层中的第一部分以及设置在第一部分与下布线之间的第二部分，同时第二部分具有比第一部分的水平宽度小的水平宽度。

公开(公告)号：CN116709783A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310177405.1

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣湜 ,  金赫 ,  陆然根

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可包括：堆叠结构，其包括堆叠在衬底上的电极、介于电极之间的层间绝缘层、和覆盖电极中的最上面的电极的上绝缘层；以及竖直结构，其在竖直方向上穿过堆叠结构，层间绝缘层中的每一个可具有第一厚度，上绝缘层可具有大于第一厚度的第二厚度，并且上绝缘层可包括与层间绝缘层中的每一个的绝缘材料不同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN116113236A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211409023.9

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍荣 ,  金爀 ,  陆然根 ,  李荣湜

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体存储器件可以包括：单元衬底，包括单元阵列区、第一延伸区和第二延伸区以及贯通区；第一模制结构，包括以阶梯式堆叠的第一栅电极；第一层间绝缘层，在第二延伸区上的第一栅电极上共形地延伸；第二层间绝缘层，在第一层间绝缘层上；第二模制结构，包括在第二层间绝缘层上并以阶梯式堆叠在第一延伸区上的第二栅电极；沟道结构，在单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构中；第一单元接触结构，在第二延伸区上的第一模制结构中；以及第二单元接触结构，在第一延伸区上的第一模制结构和第二模制结构中。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层可以具有不同的杂质浓度。