公开(公告)号：CN107154357A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710094905.3

申请日：2017-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝真 ,  金秀贤 ,  阿兹马特.拉希尔 ,  朴哲弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: G06F17/5072 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/0607

Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：加载第一布局，其中第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且第一有源区包括具有第一宽度的鳍型图案设计；通过用纳米线结构设计替代鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用第二布局而形成纳米线结构设计，其中第二布局包括与第一有源区相同尺寸的第二有源区以及与第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，纳米线结构设计的纳米线结构具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN107154357B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201710094905.3

申请日：2017-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝真 ,  金秀贤 ,  阿兹马特.拉希尔 ,  朴哲弘

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：加载第一布局，其中第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且第一有源区包括具有第一宽度的鳍型图案设计；通过用纳米线结构设计替代鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用第二布局而形成纳米线结构设计，其中第二布局包括与第一有源区相同尺寸的第二有源区以及与第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，纳米线结构设计的纳米线结构具有大于第一宽度的第二宽度。