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公开(公告)号：CN117637736A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311097814.7
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体装置，包括：在第三方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，其覆盖第一有源图案和第二有源图案并在第二方向上延伸；第一源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第一有源图案；第二源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第二有源图案；多个第一上金属线，其在第二有源图案上沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；以及下金属线，其在第一有源图案上沿第一方向延伸，其中，第一方向、第二方向和第三方向彼此相交。
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