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发明公开
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN119136555A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410062987.3

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炫旭 , 金烔永 , 闵丙宪

IPC: H10B43/35 , H10B43/27 , H10B43/40 , H10B43/10

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件和电子系统。该三维半导体存储器件包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的层间介电层和栅电极；竖直沟道结构，穿透堆叠结构；以及分离结构，跨堆叠结构之间沿第一方向延伸。分离结构包括：第一部分，从衬底沿竖直方向延伸；以及第二部分，在第一部分上并且包括与第一部分的材料不同的材料。第二部分的顶表面在与竖直沟道结构的顶表面的水平相同的水平处。

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