公开(公告)号：CN103377905A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN103377905B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN114551443A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111249646.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  姜明吉 ,  权义熙 ,  金胜圭 ,  金雅煐 ,  宋映锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。