公开(公告)号：CN110634724B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN110634724A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。