公开(公告)号：CN1117887C

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN98102756.3

申请日：1998-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔百洵 ,  安重镒 ,  金镇成 ,  金重起

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：处理室；为处理室供应处理气体的处理气体供应管线；废气排放管，用于在处理后将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应ClF3气体；取样歧管，用于利用压力差从处理室内提取气体样品；及QGA-QMS，用于分析取样气样，并利用上述RGA-QMS通过分析，根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。

公开(公告)号：CN1215764A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98102756.3

申请日：1998-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔百洵 ,  安重镒 ,  金镇成 ,  金重起

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去;清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF3气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA－QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA－QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。