公开(公告)号：CN103811079B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201310560306.8

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金致浩 ,  夏志良 ,  李成熙 ,  金那罗 ,  金大新

IPC: G11C29/50

Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。

公开(公告)号：CN103811079A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560306.8

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金致浩 ,  夏志良 ,  李成熙 ,  金那罗 ,  金大新

IPC: G11C29/50

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/40 ,  G11C29/50 ,  G11C29/56

Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。