公开(公告)号：CN1921013A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610132286.4

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵佑荣 ,  徐钟洙 ,  金翼喆 ,  文荣国

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436

Abstract: 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。

公开(公告)号：CN1921013B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200610132286.4

申请日：2006-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵佑荣 ,  徐钟洙 ,  金翼喆 ,  文荣国

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436

Abstract: 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。