公开(公告)号：CN1758455A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510078640.5

申请日：2005-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美良 ,  郭准燮

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种反射电极以及具有该反射电极的诸如LED或LD的化合物半导体发光器件。形成在化合物半导体发光器件的p型化合物半导体层上的反射电极，包括：第一电极层，其由Ag和Ag合金其中之一形成并与p型化合物半导体层形成欧姆接触；第三电极层，其由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择的材料形成在第一电极层上；以及第四电极层，其由光反射材料形成在第三电极层上。