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公开(公告)号：CN116126214A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211039486.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括主机和存储器系统的存储器系统的操作方法和存储器系统的存储器控制器。操作方法可包括：将最大功率信息从存储器系统通信给主机；响应于最大功率信息，将功率表信息和电池信息从主机通信给存储器系统；和响应于最大消耗功率值而控制存储器系统的组件的功耗，其中，功率表信息和电池信息中的每一个涉及与存储器系统关联并根据电池阶梯操作的电池，功率表信息包括具有第一条目和第二条目的多个条目，第一条目涉及电池阶梯中的第一电池阶梯且与第一最大消耗功率值关联，第二条目涉及电池阶梯中的第二电池阶梯且与第二最大消耗功率值关联，且控制存储器系统的组件的功耗的最大消耗功率值为第一最大消耗功率值和第二最大消耗功率值之一。
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公开(公告)号：CN109783400B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201811339543.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0842
Abstract: 一种储存设备，包含存储设备和控制器。存储设备存储与主机存储器上分配的主机存储器缓冲区关联的属性信息。控制器与主机存储器通信，使得与存储设备的操作关联的多个数据基于属性信息缓存于在主机存储器上分配的多个主机存储器缓冲区中。控制器与主机存储器通信，使得对应于属性信息中管理的第一属性组的第一数据缓存于多个主机存储器缓冲区中的第一主机存储器缓冲区，并且对应于不同于第一属性组的第二属性组的第二数据缓存于与第一主机存储器缓冲区分离的第二主机存储器缓冲区中。
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公开(公告)号：CN110165890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910046714.9
申请日：2019-01-18
Abstract: 一种电子电路包括电感元件、电容元件和开关元件。电感元件的第一端被连接到输入电压。第一开关元件的第一端被连接到电感元件的第一端。电容元件被连接在第一开关元件的第二端和电感元件的第二端之间。第二开关元件被连接在第一开关元件的第二端和参考电压之间。第三开关元件被连接在电感元件的第二端和参考电压之间。第四开关元件被连接在电感元件的第二端和第一输出电压之间。第五开关元件被连接在电感元件的第二端和第二输出电压之间。
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公开(公告)号：CN111090388B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910977458.5
申请日：2019-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种数据存储设备包括非易失性存储器件、存储控制器和映射控制器。非易失性存储器件存储控制所述数据存储设备的操作的执行代码。存储控制器将来自非易失性存储器件的执行代码上载并存储至包括在外部主机设备中的主机存储器缓冲器，并从主机存储器缓冲器实时下载执行代码，以执行从主机存储器缓冲器下载的执行代码。映射控制器管理映射表，映射表包括执行代码和存储所述执行代码的主机存储器缓冲器的主机地址之间的映射关系。通过将主机存储器缓冲器用作用于控制数据存储设备的操作的执行代码的储存设备来提高访问执行代码的速度并增强数据存储设备的性能。
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公开(公告)号：CN110165890A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910046714.9
申请日：2019-01-18
Abstract: 一种电子电路包括电感元件、电容元件和开关元件。电感元件的第一端被连接到输入电压。第一开关元件的第一端被连接到电感元件的第一端。电容元件被连接在第一开关元件的第二端和电感元件的第二端之间。第二开关元件被连接在第一开关元件的第二端和参考电压之间。第三开关元件被连接在电感元件的第二端和参考电压之间。第四开关元件被连接在电感元件的第二端和第一输出电压之间。第五开关元件被连接在电感元件的第二端和第二输出电压之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047216B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510179610.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/14
Abstract: 一种操作存储系统的方法，存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器，所述方法包括：在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息；将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平；根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器；检测存储系统的内部温度；和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平，并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。
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公开(公告)号：CN103035294A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210371210.2
申请日：2012-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/349
Abstract: 公开了执行读重试的方法和用于执行这样的方法的设备，所述方法包括利用新的读参数读取非易失性存储器。读重试操作和/或后续读重试操作可以在确定这样的读重试操作被批准之前开始和/或完成。例如，可以利用施加于页面的字线的新的读电压电平在读重试操作中读取NAND闪速存储器的页面。例如，可以在确定目标页面的先前读取的数据页面的错误无法通过ECC操作纠正之前对目标页面执行读重试操作。
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公开(公告)号：CN116107497A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211399628.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括主机和存储设备的存储器系统的操作方法，且该操作方法包括：将主机中包括的主机存储器的一部分分配用于要由存储设备的存储控制器使用的主机存储器缓冲区，对设置特征命令进行设置以使得启用主机存储器缓冲区，设置包括关于主机存储器缓冲区的响应速度的信息的保持命令，基于保持命令选择主机存储器缓冲区的操作模式，并且基于主机存储器缓冲区的操作模式的性能目标选择存储控制器支持的多个电源状态之一。
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公开(公告)号：CN111090388A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910977458.5
申请日：2019-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种数据存储设备包括非易失性存储器件、存储控制器和映射控制器。非易失性存储器件存储控制所述数据存储设备的操作的执行代码。存储控制器将来自非易失性存储器件的执行代码上载并存储至包括在外部主机设备中的主机存储器缓冲器，并从主机存储器缓冲器实时下载执行代码，以执行从主机存储器缓冲器下载的执行代码。映射控制器管理映射表，映射表包括执行代码和存储所述执行代码的主机存储器缓冲器的主机地址之间的映射关系。通过将主机存储器缓冲器用作用于控制数据存储设备的操作的执行代码的储存设备来提高访问执行代码的速度并增强数据存储设备的性能。
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公开(公告)号：CN109783400A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811339543.0
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0842
Abstract: 一种储存设备，包含存储设备和控制器。存储设备存储与主机存储器上分配的主机存储器缓冲区关联的属性信息。控制器与主机存储器通信，使得与存储设备的操作关联的多个数据基于属性信息缓存于在主机存储器上分配的多个主机存储器缓冲区中。控制器与主机存储器通信，使得对应于属性信息中管理的第一属性组的第一数据缓存于多个主机存储器缓冲区中的第一主机存储器缓冲区，并且对应于不同于第一属性组的第二属性组的第二数据缓存于与第一主机存储器缓冲区分离的第二主机存储器缓冲区中。
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